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EAN 0740617268225    SKU HX424S14IB2K2/16

Artikelbeschreibung

Seit dem 22.05.2017 im Sortiment

Mit DDR4 SODIMM der nächsten Generation bist Du dem Rest einen Schritt voraus.
Rüste dein Notebook oder einen jeden anderen kompakten Rechner mit einem HyperX® Impact DDR4 SODIMM auf und minimiere Systemverzögerungszeiten. HyperX Impact DDR4 ist XMP-Ready und bietet Kapazitäten bis 64GB, übertaktet sich automatisch selbst auf die angegebene Höchstfrequenz bis zu 3200MHz1 und unterstützt die neuesten Intel und AMD CPU-Technologien. Genieße die Beschleunigung, sobald du die schlanke schwarze Platine ganz einfach eingesteckt hast, ohne dir um dein BIOS Sorgen zu machen. HyperX Impact DDR4 mit nur 1,2V Spannung bietet ein echtes Upgrade für deine Systemleistung und bleibt dabei trotzdem kühl, ruhig und effizient.

1.HyperX DDR4 PnP memory will run in most DDR4 systems up to the speed allowed by the manufacturer's system BIOS. PnP cannot increase the system memory speed faster than is allowed by the manufacturer's BIOS. Memory overclocking is locked at 2133MHz (Skylake), 2400MHz (Kaby Lake), or 2666Mhz (Coffee Lake} on all mobile processors except H Series Core i7 processors (i7-xxxxHQ or i7-xxxxHK).

- Optimiert für die neuesten Intel und AMD CPUs
- Starke SODIMM-Leistung
- Plug-N-Play Funktionalität zum automatischen Übertakten
- Intel XMP-Ready-Profile machen die Einrichtung ganz leicht


**Informationen zur Finanzierung:

Barzahlungspreis entspricht dem Nettodarlehensbetrag; Gesamtbetrag von € 166,55*. Effektiver Jahreszins von 0,00% bei einer Laufzeit von 12 Monaten entspricht einem gebundenen Sollzins von 8,56% p.a.. Bonität vorausgesetzt. Partner ist die Santander Consumer Bank AG. Die Angaben stellen zugleich das 2/3 Beispiel gemäß §6a Abs. 3 PAngV dar.

Technische Daten

Allgemein:
Modellname: Impact
Gesamtkapazität: 16GB
Anzahl der Module: 2x
Kapazität der Einzelmodule: 8192MB
Art des Speichers: DDR4-2400
JEDEC Norm: PC4-19200S
Speichertyp: unbuffered
Bauform: SO-DIMM
Speicherinterface: DDR4
Max. Frequenz: 2400MHz
Verpackung: Dual Kit
Spannung: 1.20V
Anschluss des Speichers: 260-pin
Latenz (CL): CL14
RAS to CAS Delay (tRCD): 14
Ras Precharge Time (tRP): 14

Hinweis: Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der hier aufgeführten Daten wird keine Haftung übernommen.

 

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