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SKU M386B4G70BM0-YH9

Artikelbeschreibung

Seit dem 13.07.2013 im Sortiment

DRAM wird als Hauptspeicher in mehreren DV-Geräten, wie Desktop- und Notebook-Computern, Servern und High-End-Workstations, verwendet. Es ist der am häufigsten verwendete Halbleiterspeicher der aktuellen Computer Generation und bietet einige wesentliche Vorteile, wie einfache Struktur, hohe Packungsdichte, einen niedrigen Stromverbrauch und ausreichend hohe Lese- / Schreibgeschwindigkeit der Daten. Diese Art der Speicher hat mehrere innovative technologische Entwicklungen durchgemacht und bietet ein sehr großes Preis-Leistungs-Verhältnis.


Technische Daten

Allgemein:
Modellname: M386B4G70BM0-YH9
Gesamtkapazität: 32GB
Anzahl der Module: 2x
Kapazität der Einzelmodule: 16384MB
Art des Speichers: DDR3-1600 ECC
JEDEC Norm: PC3-10667E
Speichertyp: ECC
Bauform: DIMM
Speicherinterface: DDR3
Max. Frequenz: 1600MHz
Verpackung: Dual Kit
Spannung: 1.35V
Anschluss des Speichers: 240-pin
Latenz (CL): CL11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Ras Precharge Time (tRP): 11
Row Active Time (tRAS): 11

Hinweis: Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der hier aufgeführten Daten wird keine Haftung übernommen.

 

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