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Arbeitsspeicher (RAM) - Arbeitsspeicher (RAM)

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DDR3-1600 (PC3-12800U)

16GB Samsung Value DDR3-1600 DIMM CL11 Single

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16GB Samsung Value DDR3-1600 DIMM CL11 Single
http://www.mindfactory.de/Manufacturer/Samsung/Hardware/Arbeitsspeicher+(RAM)/DDR3+Module.html/basket_action/buy_now/info/p839544_16GB-Samsung-Value-DDR3-1600-DIMM-CL11-Single.html#anchor_839544 http://www.mindfactory.de/Manufacturer/Samsung/Hardware/Arbeitsspeicher+(RAM)/DDR3+Module.html/wishlist_action/add/info/p839544_16GB-Samsung-Value-DDR3-1600-DIMM-CL11-Single.html#anchor_839544
Das Samsung Memorymodul ist ein registered DIMM ECC DDR3L 1600MHz 240Pin mit 16GB Kapazität (2Gx72).
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DDR3-1333 ECC (PC3-10666)

8GB Samsung DDR3-1333 regECC DIMM CL9 Single

Bestellt
8GB Samsung DDR3-1333 regECC DIMM CL9 Single
http://www.mindfactory.de/Manufacturer/Samsung/Hardware/Arbeitsspeicher+(RAM)/DDR3+Module.html/basket_action/buy_now/info/p786399_8GB-Samsung-DDR3-1333-regECC-DIMM-CL9-Single.html#anchor_786399 http://www.mindfactory.de/Manufacturer/Samsung/Hardware/Arbeitsspeicher+(RAM)/DDR3+Module.html/wishlist_action/add/info/p786399_8GB-Samsung-DDR3-1333-regECC-DIMM-CL9-Single.html#anchor_786399
Hersteller: Samsung
Gesamtkapazität: 8GB
Anzahl der Module: 1x
Kapazität der Einzelmodule: 8192MB
Art des Speichers: DDR3-1333 regECC
JEDEC Norm: PC3-10667R
Speichertyp: reg ECC
Bauform: DIMM
Speicherinterface: DDR3
Max. Frequenz: 1333MHz
Verpackung: Single
Spannung: 1.50V
Anschluss des Speichers: 240-pin
Latenz (CL): CL9
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über 140 verkauft
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DDR3-1600 ECC (PC3-12800)

4GB Samsung Value DDR3-1600 regECC DIMM CL11 Single

Verfügbar
4GB Samsung Value DDR3-1600 regECC DIMM CL11 Single
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Hersteller: Samsung
Modellname: Value
Gesamtkapazität: 4GB
Anzahl der Module: 1x
Kapazität der Einzelmodule: 4096MB
Art des Speichers: DDR3-1600 regECC
JEDEC Norm: PC3-12800R
Speichertyp: reg ECC
Bauform: DIMM
Speicherinterface: DDR3
Max. Frequenz: 1600MHz
Verpackung: Single
Spannung: 1.35V-1.50V
Anschluss des Speichers: 240-pin
Latenz (CL): CL11
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DDR3-1333 (PC3-10666U)

4GB Samsung Value DDR3-1333 DIMM CL9 Single

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Hersteller: Samsung
Modellname: Value
Gesamtkapazität: 4GB
Anzahl der Module: 1x
Kapazität der Einzelmodule: 4096MB
Art des Speichers: DDR3-1333
JEDEC Norm: PC3-10667U
Speichertyp: unbuffered
Bauform: DIMM
Speicherinterface: DDR3
Max. Frequenz: 1333MHz
Verpackung: Single
Spannung: 1.50V
Anschluss des Speichers: 240-pin
Latenz (CL): CL9
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DDR3-1333 ECC (PC3-10666)

8GB Samsung Value DDR3-1333 regECC DIMM CL9 Single

Verfügbar
8GB Samsung Value DDR3-1333 regECC DIMM CL9 Single
http://www.mindfactory.de/Manufacturer/Samsung/Hardware/Arbeitsspeicher+(RAM)/DDR3+Module.html/basket_action/buy_now/info/p748147_8GB-Samsung-Value-DDR3-1333-regECC-DIMM-CL9-Single.html#anchor_748147 http://www.mindfactory.de/Manufacturer/Samsung/Hardware/Arbeitsspeicher+(RAM)/DDR3+Module.html/wishlist_action/add/info/p748147_8GB-Samsung-Value-DDR3-1333-regECC-DIMM-CL9-Single.html#anchor_748147
Hersteller: Samsung
Modellname: Value
Gesamtkapazität: 8GB
Anzahl der Module: 1x
Kapazität der Einzelmodule: 8192MB
Art des Speichers: DDR3-1333 regECC
JEDEC Norm: PC3-10667U
Speichertyp: reg ECC
Bauform: DIMM
Speicherinterface: DDR3
Max. Frequenz: 1333MHz
Verpackung: Single
Spannung: 1.50V
Anschluss des Speichers: 240-pin
Latenz (CL): CL9
RAS to CAS Delay (tRCD): 9
Ras Precharge Time (tRP): 9
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DDR3-1600 (PC3-12800U)

8GB Samsung Green Series DDR3-1600 DIMM CL11 Dual Kit

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Der Samsung Green Series DDR3-1600 ist neben den Overclocking-Fähigkeiten auch eine extrem zuverlässige Lösung für PCs, die darauf ausgelegt sind, möglichst stromsparend zu arbeiten. Der Speicher ist branchenführend in 30-nm-Technologie gefertigt. Der Effekt dieser innovativen Technik ist, neben der kompakten Bauform, schnellere Geschwindigkeit bei gleichbleibender Leistung. Im Vergleich zu Speicher in 60-nm-Fertigung kommt der Samsung-RAM mit bis zu 47 % weniger Strom aus.
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DDR3-1333 (PC3-10666U)

4GB Samsung Value DDR3-1333 DIMM CL9 Single

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Hersteller: Samsung
Modellname: Value
Gesamtkapazität: 4GB
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Art des Speichers: DDR3-1333
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Bauform: DIMM
Speicherinterface: DDR3
Max. Frequenz: 1333MHz
Verpackung: Single
Spannung: 1.50V
Anschluss des Speichers: 240-pin
Latenz (CL): CL9
RAS to CAS Delay (tRCD): 9
Ras Precharge Time (tRP): 9
Row Active Time (tRAS): 24
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