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250GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E250BW)
http://www.mindfactory.de/Hardware/Solid+State+Drives+(SSD)/mSATA+SSDs.html/basket_action/buy_now/250GB-Samsung-850-Evo-mSATA-6Gb-s-TLC-Toggle--MZ-M5E250BW-_1000240.html#anchor_1000240 http://www.mindfactory.de/Hardware/Solid+State+Drives+(SSD)/mSATA+SSDs.html/wishlist_action/add/250GB-Samsung-850-Evo-mSATA-6Gb-s-TLC-Toggle--MZ-M5E250BW-_1000240.html#anchor_1000240
Was ist 3D V - NAND und wie unterscheidet es sich von konventioneller Flash - Technologie?

Die einzigartige und innovative 3D V - NAND - Flash - Speicher - Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND - Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V - NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht.

Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese - und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite - Technologie.

Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese - und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite - Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client - PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg.
* PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) < 7.600 (850 EVO) ** Random Write (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) < 88.000 IOPS (850 EVO)

Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID - Modus auf die Überholspur

Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID - Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID - Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg.
* PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 < 15.000 (RAPID mode)

Garantiert längere Lebensdauer und höhere Zuverlässigkeit durch die 3D V - NAND - Technologie

Die 850 EVO garantiert außergewöhnliche Lebensdauer und Zuverlässigkeit mit einem gegenüber der 840 EVO* Vorgängergeneration doppelt so hohen TBW - Wert (Total Bytes Written, Mindest - Gesamtschreibdatenmenge) und einer konkurrenzlos großzügigen, fünfjährigen Garantie. Die 850 EVO erreicht eine um bis zu 30 % längere Lebensdauer als die 840 EVO, was sie zu einem der zuverlässigsten Speichermedien** macht.
* TBW: 43 (840 EVO) < 75 (850 EVO 120/250 GB), 150 (850 EVO 500/1 TB) ** Sustained Performance (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) < 6.500 IOPS (850 EVO), Performance measured after 12 hours “Random Write” test

Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V - NAND

Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V - NAND optimierten SSD - Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V - NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.
* Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

Flexible Formfaktoren für verschiedenste Gerätetypen
Die SSD 850 EVO ist ausgesprochen vielseitig, denn die Varianten mit mSATA eignen sich für verschiedenste Gerätetypen wie Desktops, Laptops, Ultrabooks oder ultrakompakte Systeme wie Tablet PCs.
Bewertungen:
Meinungen zu 250GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E250BW)
Artnr: 8624094
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500GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E500BW)
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Was versteht man unter 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bestehenden Technologie?
Die einzigartige innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung stellt einen Durchbruch bei der Überwindung von Beschränkungen der Dichte, Performance und Beständigkeit der herkömmlichen planaren NAND-Architektur dar. In 3D V-NANDs werden 32 Zellschichten vertikal übereinander geschichtet, statt die Ausmaße der Zellen zu verringern und so zu versuchen, mit einem festgelegten horizontalen Platzangebot auszukommen. Dadurch bietet die Technologie eine höhere Dichte und bessere Performance bei weniger Platzbedarf.

Optimieren Sie die Rechenleistung mithilfe der TurboWrite-Technologie und nutzen Sie unerreichte Geschwindigkeiten beim Lesen und Schreiben
Erreichen Sie mithilfe der TurboWrite-Technologie von Samsung optimale Lese / Schreibgeschwindigkeiten und holen Sie täglich das Maximum aus Ihrem Computer heraus. Im Vergleich zum 840 EVO zeigt das 850 EVO, teilweise dank der jetzt doppelt so schnellen zufälligen Schreibgeschwindigkeit**, eine um circa 13%* verbesserte Gesamtbenutzererfahrung. Mit einer sequentiellen Lesegeschwindigkeit von 540 MB/s bzw. einer Schreibgeschwindigkeit von 520 MB/s liefert das 850 EVO die beste Leistung seiner Klasse. Genießen Sie optimierte zufällige Schreib / Lese-Performance in allen Warteschlangentiefen (QD) für Client-PC-Anwendungsszenarien.

Vergrößern Sie den Datenspeicher mit dem RAPID-Modus
Das Samsung 850 EVO mSATA ist eine Hochgeschwindigkeitsmaschine. Mithilfe der neuesten Samsung Magician Software können Sie den RAPID-Modus aktivieren, um auf unbenutzten PC-Speicher (DRAM) zuzugreifen und diesen als Zwischenspeicher mit bis zu 25% der gesamten DRAM-Kapazität zu nutzen. Dank dieses erheblich vergrößerten Speichers wird die Datenverarbeitung beschleunigt und die zufällige QD kann im RAPID-Modus auf bis das Doppelte* ansteigen.

Langlebigkeit und Zuverlässigkeit, unterstützt durch 3D V-NAND-Technologie
Indem das 850 EVO den TBW-Wert (Total Bytes Written) im Vergleich zur vorherigen Generation 840 EVO verdoppelt* und zusätzlich eine in der Branche unerreichte 5-Jahresgarantie anbietet, liefert es eine garantierte Langlebigkeit und Zuverlässigkeit. Durch die Verbesserung der Leistung um bis zu 30% ermöglicht das 850 EVO eine nachhaltige Performance** und zählt somit zu den zuverlässigsten Speicherlösungen.

Energieeffizienz unterstützt durch 3D V-NAND
Ab dem 80 EVO wurde die 2 mW-Energiesparfunktion in den 840 EVO-Geräten eingeführt, und jetzt stellt das 850 EVO die hochmoderne 3D-NAND-Technologie vor (die 50% weniger Energie verbraucht als planares 2D-NAND). Damit erhalten Sie während der Schreibvorgänge um 25% mehr Leistungseffizienz*.

Verwendungsmöglichkeit in verschiedenen Gerätetypen dank flexiblem Formfaktor
Das vielseitige 850 EVO mSATA deckt alle Anwendungsmöglichkeiten ab, egal welchen Anschlusstyp oder welche physische Steckplatzgröße Ihr Gerät unterstützt. Das macht es zur idealen Wahl für die Desktops, Laptops und besonders für die durch extrem schmale Abmessungen beschränkten ultradünnen Tablet PCs von heute.
Bewertungen:
Meinungen zu 500GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E500BW)
Artnr: 8624093
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8GB Delock mSATA 6Gb/ MLC (54662)
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Artnr: 8645610
 
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64GB Transcend Industrial MSA370 mSATA 6Gb/s MLC (TS64GMSA370)
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Artnr: 8594387
über 20 verkauft
 
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32GB Transcend Industrial MSM360 MO-300A mSATA 6Gb/s MLC (TS32GMSM360)
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Artnr: 8742417
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1000GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E1T0BW)
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Was ist 3D V - NAND und wie unterscheidet es sich von konventioneller Flash - Technologie?

Die einzigartige und innovative 3D V - NAND - Flash - Speicher - Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND - Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V - NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht.

Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese - und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite - Technologie.

Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese - und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite - Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client - PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg.
* PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) < 7.600 (850 EVO) ** Random Write (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) < 88.000 IOPS (850 EVO)

Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID - Modus auf die Überholspur

Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID - Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID - Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg.
* PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 < 15.000 (RAPID mode)

Garantiert längere Lebensdauer und höhere Zuverlässigkeit durch die 3D V - NAND - Technologie

Die 850 EVO garantiert außergewöhnliche Lebensdauer und Zuverlässigkeit mit einem gegenüber der 840 EVO* Vorgängergeneration doppelt so hohen TBW - Wert (Total Bytes Written, Mindest - Gesamtschreibdatenmenge) und einer konkurrenzlos großzügigen, fünfjährigen Garantie. Die 850 EVO erreicht eine um bis zu 30 % längere Lebensdauer als die 840 EVO, was sie zu einem der zuverlässigsten Speichermedien** macht.
* TBW: 43 (840 EVO) < 75 (850 EVO 120/250 GB), 150 (850 EVO 500/1 TB) ** Sustained Performance (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) < 6.500 IOPS (850 EVO), Performance measured after 12 hours “Random Write” test

Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V - NAND

Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V - NAND optimierten SSD - Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V - NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.
* Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

Flexible Formfaktoren für verschiedenste Gerätetypen
Die SSD 850 EVO ist ausgesprochen vielseitig, denn die Varianten mit mSATA eignen sich für verschiedenste Gerätetypen wie Desktops, Laptops, Ultrabooks oder ultrakompakte Systeme wie Tablet PCs.
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Artnr: 8624096
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32GB Mach Xtreme Technology mini-PCIe Module mSATA 6Gb/s MLC (MXSSD2MMSLF-32G)
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Artnr: 8571868
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120GB Intel 525er Serie mSATA 6Gb/s MLC asynchron (SSDMCEAC120B301)
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Artnr: 8461964
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60GB Intel 525er Serie mSATA 6Gb/s MLC asynchron (SSDMCEAC060B301)
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Artnr: 48199
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180GB Intel 525er Serie mSATA 6Gb/s MLC asynchron (SSDMCEAC180B301)
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Artnr: 48193
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20GB Intel 313 Series 1.8" (4.6cm) mSATA MLC asynchron (SSDMAEXC020G301)
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Artnr: 46026
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40GB Intel 310 Series mSATA 6Gb/s MLC asynchron (SSDMAEMC040G2C1)
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